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一种功率半导体器件及其制备方法，为了进一步提高屏蔽栅沟槽型场效应管的开关速度以及降低开关损耗，本发明提供一种制作工艺简单的屏蔽栅沟槽型场效应管器件结构及其制造方法，通过先后不同的步骤分别形成栅氧化层以及极间隔离介质层，使得形成的极间隔离介质...
该专利属于中山汉臣电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中山汉臣电子科技有限公司授权不得商用。

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