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本发明为一种PIN二极管器件结构及其制备方法。该二极管器件结构包括以下两种：第一种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：P‑型欧姆电极、P‑型重掺杂半导体传输层、N‑型插入层、N‑型本征层、N‑型重掺杂半导体传输层和N‑型欧姆电极；或者...
该专利属于河北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北工业大学授权不得商用。

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