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在一些实施例中，本发明涉及有源区内的晶体管器件和相关的形成方法，该有源区具有被配置为减小晶体管器件对由相邻隔离结构中的凹陷引起的性能劣化(扭结效应)的敏感度的形状。该晶体管器件具有衬底，该衬底包括限定衬底的上表面内的沟槽的内表面。一种或多种...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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