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一种集成电路包含一半导体基底、一隔离区、一第一主动元件以及至少一深沟槽隔离结构。隔离区是位于半导体基底中。第一主动元件是位于半导体基底上。深沟槽隔离结构从隔离区的一底部朝向半导体基底的一底部延伸。深沟槽隔离结构具有至少一气隙于其中。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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