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在一些实施例中，本发明涉及集成芯片。该集成芯片具有布置在衬底内的隔离结构。该隔离结构具有限定一个或多个凹陷的内表面和限定暴露衬底的开口的侧壁，该一个或多个凹陷凹进至低于隔离结构的最上表面。源极区域设置在开口内。漏极区域设置在开口内并且沿着第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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