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本公开实施例提供具有侧壁间隔物的集成电路装置，以及具有此间隔物的集成电路装置的形成方法。在一些范例中，此方法包含接收工件，其包含基底和位于基底上的栅极堆叠。形成间隔物于栅极堆叠的侧表面上，间隔物包含低介电常数介电材料的间隔层。形成源极/漏极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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