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一种3D NAND存储器位线的电阻测试方法，包括：提供失效晶圆，所述失效晶圆包括衬底和位于衬底正面上的3D NAND存储器，所述3D NAND存储器包括若干位线和与每个位线相应连接的若干金属插塞；选取多根位线作为目标位线，将多根目标位线通过...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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