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提供半导体装置结构的形成方法,此方法包含在介电层上方形成第一掩模层,第一掩模层具有沟槽,沟槽具有内壁和底表面。此方法包含在第一沟槽中形成第二掩模层。此方法包含移除覆盖底表面的第二掩模层,以在第二掩模层中形成第二沟槽,第二沟槽暴露出底表面且在...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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