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本发明公开了一种单相黄铜矿结构CdGeAs2晶体材料的合成方法，包括以下步骤：S1：安瓿清洗，制作好的安瓿在使用前依次用碱、自来水、5％氢氟酸洗液对合成安瓿进行清洗，然后采用超声波进行振荡清洗，最后用高阻去离子水反复冲洗合成安瓿，直到清洗后...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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