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本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种SOI功率开关的ESD保护器件，包括：P型衬底；P型衬底上的N型深阱；在N型深阱上依次排布的第一N阱、第一P阱、第一P型本征掺杂区、第二N阱、第二P型本征掺杂区、第二P阱、第三N阱，第一P型本征掺杂...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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