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本发明涉及一种形成三维存储器的方法以及三维存储器，该三维存储器包括一种三维存储器，包括衬底、经掺杂的阱区、位于所述衬底上的堆叠层以及垂直穿过所述堆叠层且到达所述阱区的沟道结构。所述经掺杂的阱区位于所述衬底中，所述阱区与所述衬底接触。所述堆叠...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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