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本公开提供了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：存储单元阵列，包括连接到多条位线的多个存储单元；控制信号生成电路，被配置为响应于所述半导体存储器件的第一工作温度而产生第一控制信号，并且响应于所述半导体存储器件的第二工作温度而产生第二...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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