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本申请公开了一种3D存储器件。该3D存储器件包括：半导体衬底；沟道柱，位于半导体衬底上；以及第一栅叠层结构和第二栅叠层结构，每个栅叠层结构与沟道柱邻接，并分别包括多个栅极导体和多个层间绝缘层，3D存储器件还包括贯穿沟道柱的第一隔离结构，第一...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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