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本发明公开了一种基于疏松缺陷反应烧结SiC材料致密的方法，包括：将疏松缺陷的反应烧结SiC材料置于真空环境中，升温至一定温度，保温一段时间，使硅从疏松缺陷的反应烧结SiC材料中逸出并与包裹疏松缺陷的反应烧结SiC材料外表面的碳质材料反应，降...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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