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一种存储器单元包括：第一电极；包括一个水平部分和分别耦合至该水平部分的端部的两个垂直部分的电阻材料层；以及第二电极，其中第二电极由U形轮廓的顶部边界部分地围绕，并且第一电极沿着U形轮廓的底部边界的部分延伸。本发明的实施例还涉及形成半导体器件...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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