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半导体器件制造技术
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文档序号:20956323
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本实用新型提供一种半导体器件,包括基底、在基底上设置的硬掩膜层及在硬掩膜层上设置的第一牺牲层,在第一牺牲层形成有微图案。本实用新型提高了半导体器件的套刻精度,避免了接触电阻和寄生电容问题的产生,大大提高了产品成品率,同时本实用新型产品结构简...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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