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提供了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括构造为在彼此垂直的第一方向和第二方向上延伸的顶表面；栅极堆叠结构，其设置在衬底上，在第一方向上彼此间隔开，并构造为在第二方向上延伸；第一区域，栅极堆叠结构的顶表面的水平在第一区域中是恒定的；第二区域...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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