下载半导体器件及其制造方法的技术资料

文档序号:20946375

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括:空穴源图案;位于相邻的空穴源图案之间的电子源图案;在空穴源图案和电子源图案上方的层叠结构;以及穿透层叠结构的沟道层,其中,各个沟道层与对应空穴源图案以及与所述对应空穴源图案相邻的电子源图案接触。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。