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内嵌eflash大容量存储器电路设计制备方法，涉及集成电路芯片设计和制备技术。本发明包括下述步骤：1)在设计阶段，依据芯片面积状况，在既定数量的存储器以外，确定可增设冗余存储器数量，得到存储器总量，所述存储器为内嵌eflash IP存储器；...
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