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本发明提供一种高维持电压NLDMOS，包括：高压P阱和位于其两侧的第一、第二N漂移区；形成于高压P阱中、第一、第二N漂移区之间的P型阻挡层；在第一、第二N漂移区中分别形成的N+注入区分别作为源极和漏极；浅沟道隔离区，其位于第二N漂移区靠近源...
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