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实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有第1面与第2面；第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域；在与第2半导体区域之间夹着第1半导体区域的第2导电型的第3半导体区域；第1半导体区域与第1面之间的第1导电型的第1阱区域；相对于...该专利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社授权不得商用。