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一种基于p-n异质结结构NiO-In2O3复合纳米球的气体传感器制造技术
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文档序号:20901851
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本发明一种基于p‑n异质结结构NiO‑In2O3复合纳米球的气体传感器及其制备方法,属于半导体金属氧化物的气体传感器领域。一种p‑n异质结结构NiO‑In2O3复合纳米球的制备方法,所述方法为将四水合三氯化铟、六水合硝酸镍、一水合柠檬酸和尿...
该专利属于东北大学所有,仅供学习研究参考,未经过东北大学授权不得商用。
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