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低雷诺数条件的等离子体合成射流激励器制造技术
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文档序号:20856521
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本发明是低雷诺数条件的等离子体合成射流激励器,包括激励器放电腔(4)、激励器缓冲腔(2)、阴极放电电极(6)、阳极放电电极(5)和耐热硅胶。激励器放电腔(4)放置于激励器缓冲腔(2)内,耐热硅胶将阴极放电电极(6)和阳极放电电极(5)固定和...
该专利属于哈尔滨工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。
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