温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，先在有源区上形成轻掺杂区，则通过轻掺杂区之间的区域限定出沟道区，而后，形成覆盖层，覆盖层中具有开口，该开口暴露出沟道区以及部分的轻掺杂区，进而，通过侧墙工艺，在开口的侧壁上形成侧墙，侧墙之间的间隙用于形...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。