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本实用新型提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；第一沟槽，形成于半导体衬底内；衬垫层，形成于第一沟槽的侧壁；隔离层，位于第一沟槽内，且至少覆盖衬垫层的侧面及顶部；第一介质层，位于第一沟槽内，第一介质层的厚度小于第一沟槽的深度；第二沟槽，位...
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