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本文描述的实施例在高压退火工艺之后提供热处理工艺以将氢保持在场效应晶体管中的沟道区与栅介电层之间的界面处，同时从栅介电层的主体部分去除氢。热处理工艺可以减小由高压退火引起的阈值电压偏移量。高压退火和热处理工艺可以在形成栅介电层之后的任何时间...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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