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本发明实施例公开多种集成扇出型封装及其形成方法。一种集成扇出型封装包括第一半导体芯片、多个集成扇出型穿孔、包封层及重布线层结构。所述第一半导体芯片包括散热层，且所述散热层覆盖第一半导体芯片的第一表面的至少百分之三十。所述集成扇出型穿孔位于第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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