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本公开涉及栅极结构钝化物质驱入方法和由该方法形成的结构。本公开大体上提供了与器件的栅极结构形成(例如在替代栅极工艺中)以及由此形成的器件有关的示例实施例。在一种示例方法中，栅极电介质层被形成在衬底上的有源区域上方。包含钝化物质(例如氟)的暂...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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