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公开了一种用于形成3D存储设备的方法。该方法包括：在衬底上形成交替的电介质叠层；在交替的电介质叠层的上部中形成沿横向延伸的临时顶部选择性栅极切口；形成穿透交替的电介质叠层的多个沟道孔；去除临时顶部选择性栅极切口；以及形成多个沟道孔中的多个沟...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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