温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种获得完整1D纳米材料的方法，该方法在生长1D纳米材料的衬底上首先外延生长AlxGa1‑xAs薄膜，Al的组分为0.6≤x≤1，然后在制备有AlxGa1‑xAs薄膜的衬底上生长1D纳米材料，1D纳米材料生长完成后，用HF酸对所生...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。