一种获取完整纳米线材料的方法技术

本发明专利技术提出一种获得完整1D纳米材料的方法，该方法在生长1D纳米材料的衬底上首先外延生长AlxGa1‑xAs薄膜，Al的组分为0.6≤x≤1，然后在制备有AlxGa1‑xAs薄膜的衬底上生长1D纳米材料，1D纳米材料生长完成后，用HF酸对所生长的样品进行腐蚀并多次清洗获得完整的1D纳米材料。本发明专利技术利用AlxGa1‑xAs薄膜可以与HF酸反应而被有效的腐蚀，GaAs、InAs纳米线材料不与HF酸反应而被完整的保留，将AlxGa1‑xAs薄膜作为牺牲层从而实现获得完整的1D纳米材料的方法，本发明专利技术提出的这种方法解决现有技术中获得完整1D纳米材料的难题，可有效推动1D纳米材料在纳米光电子器件方面的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种获取完整纳米线材料的方法
本专利技术属于新材料领域，具体属于纳米光电子材料领域中一种获得完整的半导体纳米线材料的方法。
技术介绍
纳米材料是当今世界研究的热点，与此同时，纳米材料的生长技术已相对成熟，所生长的纳米材料可用于制备纳米光电子器件。目前，已问世的纳米光电子器件有纳米激光器(如量子阱激光器、量子线激光器、量子点激光器)、量子点红外光电探测器、InGaAs/GaAs多量子阱自电光效应器件(MQW-SEED)、CMOS/SEED光电子集成器件、AlGaAs/GaAs超晶格多量子阱红外光电探测器阵列、垂直腔面发射激光器阵列(VCSEL)、聚光物发光二极管、谐振腔增强型光电探测器(RCE-PD)、纳米级薄膜制作的红外摄像器件(如纳米级硅化铂薄膜肖特基势垒红外焦平面阵列)等。因此，纳米光电子器件有着广阔的应用前景。1D纳米材料(纳米线)可用于实现1D纳米光电子器件，1D纳米材料的生长技术比较成熟，但高质量高性能的1D纳米光电子器件，如纳米激光器、纳米光电探测器等对于完整的1D纳米材料具有较高的要求。现阶段获得相对完整的1D纳米材料主要采用机械法和超声法，这两种方法获得不被破坏的完整本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种获得完整1D纳米材料的方法，包括：GaAs衬底，AlxGa1‑xAs薄膜牺牲层材料，GaAs纳米线材料，其特征在于：这种获得完整1D纳米材料的方法在生长1D纳米材料的衬底上首先制备AlxGa1‑xAs薄膜，AlxGa1‑xAs中Al的组分为0.6≤x≤1，然后在表面具有AlxGa1‑xAs薄膜的衬底上生长1D纳米材料，1D纳米材料生长在AlxGa1‑xAs薄膜表面，1D纳米材料生长完成后将所生长的样品用HF酸处理，利用HF酸对AlxGa1‑xAs薄膜发生化学反应被腐蚀并溶解，而GaAs、InAs材料不会被HF酸腐蚀，GaAs、InAs这种1D纳米材料及GaAs衬底被完整保留，随后将Ga...

【技术特征摘要】
1.一种获得完整1D纳米材料的方法，包括：GaAs衬底，AlxGa1-xAs薄膜牺牲层材料，GaAs纳米线材料，其特征在于：这种获得完整1D纳米材料的方法在生长1D纳米材料的衬底上首先制备AlxGa1-xAs薄膜，AlxGa1-xAs中Al的组分为0.6≤x≤1，然后在表面具有AlxGa1-xAs薄膜的衬底上生长1D纳米材料，1D纳米材料生长在AlxGa1-xAs薄膜表面，1D纳米材料生长完成后将所生长的样品用HF酸处理，利用HF酸对AlxGa1-xAs薄膜发生化学反应被腐蚀并溶解，而GaAs、InAs材料不会被HF酸腐蚀，GaAs、InAs这种1D纳米材料及GaAs衬底被完整保留，随后将GaAs衬底取出并将HF酸腐蚀液去除，将分散的1D纳米材料用去离子水反复冲洗干净，最后1D纳米材料分散在无水乙醇中，取含有1D纳米材料的无水乙醇溶液滴在清洗干净的Si衬底上自然风干，获得完整的1D纳米材料，实现本发明所提出的这种获得完整1D纳米材料的方法。2.根据权利要求1所述的一种获得完整1D纳米材料的方法，其特征在于：上述用于实现获得完整1D纳米材料的方法，具体实现方法如下：步骤一：衬底清洗；步骤二：将AlxGa1-xAs薄膜制备在清洗好的衬底上；步骤三：在步骤二处理后的衬底上生长1D纳米材料；步骤四：将步骤三生长1D纳米材料的样品用...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐吉龙，魏志鹏，亢玉彬，方铉，房丹，王登魁，张家斌，王晓华，马晓辉，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：吉林,22