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所提供的半导体器件可以包括具有NMOS区和PMOS区的衬底，以及在NMOS区中的第一晶体管，该第一晶体管包括第一栅极堆叠和在第一栅极堆叠的至少一侧上的第一源极/漏极区。该半导体器件还可以包括在PMOS区中的第二晶体管，该第二晶体管包括第二栅...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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