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本实用新型涉及集成电路领域，提供了一种晶体管和一种集成电路存储器。所提供的晶体管包括形成有栅极沟槽和源/漏区的衬底，栅极沟槽中填充有栅极介质层、第一栅极层和第二栅极层，其中沿栅极沟槽的底壁向衬底的表面延伸的方向，第一栅极层的功函数逐渐降低，...
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