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本申请公开了一种高压器件与半导体器件，该高压器件半导体衬底；氧化层；栅极，位于氧化层上；以及源区与漏区，位于半导体衬底中，并分别位于栅极两侧，其中，漏区的掺杂深度由漏区的中心向边缘递减。通过掺杂深度由中心向边缘递减的漏区，减小了漏区边缘的电...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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