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本实用新型提供了一种半导体器件，在衬底中的源区和漏区之间形成栅极结构以构成晶体管，然后在栅极结构的底部形成调整区，通过增加晶体管的沟道的掺杂浓度以在沟道内形成一个势垒，从而阻挡漏电流的通过，进而减小了沟道漏电流，同时，由于势垒并不是很高，在...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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