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本实用新型提供了一种半导体存储器。半导体存储器中其有源区的端部中形成有第二掺杂区，从而使位线能够从有源区的端部连接第二掺杂区，并且可以实现位线掩埋于衬底中并利用沟槽隔离结构隔离相邻的位线，从而可改善相邻的位线之间发生电容耦合的现象；同时，使...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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