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本实用新型提供一种互连结构及半导体器件，所述互连结构包括：基底、第一层间介质层、金属互连线、低介电常数介质层以及绝缘层，第一层间介质层位于基底上，且第一层间介质层内形成有多个贯穿第一层间介质层的凹槽，金属互连线填充于第一层间介质层的凹槽内，...
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