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本发明涉及半导体器件的制造方法及半导体器件。形成鳍，其中，鳍包括底部、设置在底部上方的第一牺牲层、设置在第一牺牲层上方的第一半导体层、设置在第一半导体层上方的第二牺牲层以及设置在第二牺牲层上方的第二半导体层。第二半导体层从第一绝缘层突出。在...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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