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本发明的实施方式提供栅极区域中的接触电阻低的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备第一导电型的漏极层、第一导电型的漂移层、第二导电型的基底区域、第一导电型的源极区域、场板电极、栅极区域和第三绝缘膜。漂移层被形成在漏极层的上表面。基...该专利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社授权不得商用。