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本发明提供了一种形成三维存储器的方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构具有第一衬底、位于第一衬底上的堆叠的第一堆栈以及穿过所述第一堆栈的多个第一沟道层；在所述第一堆栈的表面覆盖与所述第一堆栈键合的剥离层，所述剥离层的材料为单晶硅；图案化...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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