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本发明属于半导体器件的刻蚀加工领域，具体公开了一种刻蚀方法及半导体器件。上述刻蚀方法包括：提供衬底，衬底上形成有待刻蚀膜层；在待刻蚀膜层上形成掩膜层结构，掩膜层结构包括形成在待刻蚀膜层上表面的介质层和形成在介质层上表面的APF膜层；图案化A...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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