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半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:20626649
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本申请涉及半导体器件及其制造方法。形成存储器栅极电极和控制栅极电极以覆盖从半导体衬底的上表面突出的鳍。被存储器栅极电极和控制栅极电极覆盖的鳍的部分被作为存储器单元的源极区域和漏极区域的一部分的硅化物层夹住。该硅化物层形成为硅化物层。...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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