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本发明提供在调整掩模的开口宽度的基础上，对于等离子体蚀刻提供更牢固的掩模的方法。在一个实施方式的方法中，在被加工物上形成钨膜。被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模。钨膜包括沿着划分出开口的掩模的侧壁面延伸的第1区域和在基底膜上延伸的第...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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