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本发明提供了一种三维铁电存储器及其制作方法，包括提供衬底；在衬底表面形成堆叠层以及贯穿堆叠层的沟道孔，堆叠层包括多层交替排布的氧化硅层和氮化硅层；在沟道孔侧壁形成铁电存储层、第一缓冲层、第二缓冲层和填充层，铁电存储层的材料为氧化铪或掺杂的氧...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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