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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在衬底中形成了贯通衬底的绝缘环，绝缘环内的衬底作为电容结构的第一极板，在第一极板中形成了贯通的通孔，贯通的通孔的侧壁上形成有介质层且填充有导电层，进而通过引出结构将第一极板引出，以及通过第二引出结构电连...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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