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一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有第一器件区域和第二器件区域，所述第一器件区域和第二器件区域分别具有栅极结构；形成覆盖所述半导体衬底表面和栅极结构的遮蔽层；形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述第一器件区域的遮蔽层...
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