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提供了一种三维半导体存储器件。该器件其可以包括：包括外围电路区域和单元阵列区域的衬底、设置在衬底的外围电路区域上的外围栅堆叠、以及设置在衬底的单元阵列区域上的电极结构。电极结构可以包括下电极、覆盖下电极的下绝缘层、以及在竖直方向上交替地堆叠...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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