下载减少半导体制造中接触件深度变化的方法的技术资料

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一种方法包括提供具有隔离结构、邻近隔离结构且高于隔离结构的鳍以及位于鳍和隔离结构上方的栅极结构的器件结构。隔离结构、鳍和栅极结构限定位于鳍上方的第一沟槽和位于隔离结构上方的第二沟槽。该方法进一步包括在栅极结构、鳍和隔离结构上方形成第一接触蚀...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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