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本申请涉及半导体器件及其形成方法，公开了一种用于减少线的摆动的方法，该方法包括在衬底上方形成硅图案化层并且在硅图案化层上方沉积掩模层。掩模层被图案化以在其中形成一个或多个开口。掩模层被薄化并且一个或多个开口被加宽，以提供较小的高宽比。然后掩...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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