下载碳化硅半导体装置及其制造方法的技术资料

文档序号:20500087

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关于框状部(32)及p型保护环(21)中的单元部侧与其他部分相比间隔窄,将使间隔变窄的部分设为点线部(211、322)。这样,使框状部(32)及p型保护环(21)中的单元部侧的间隔变窄,从而将单元部侧的电场集中缓和,使得等电位线更朝向外周侧...
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